onsemi FQB85N06TM دیتاشیت

onsemi FQB85N06TM

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت onsemi FQB85N06TM
حجم فایل 79.205 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت onsemi FQB85N06TM-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 10mΩ
  • Gate Charge(Qg): 112nC
  • Ciss-Input Capacitance: 4.12nF
  • Pd - Power Dissipation: 3.75W
  • Drain to Source Voltage: 60V
  • Operating Temperature -: -55℃~+175℃
  • Output Capacitance(Coss): 1.5nF
  • Current - Continuous Drain(Id): 85A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 4V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 220pF
  • Package: D2PAK(TO-263)

محصولات مشابه